目的：
當材料及零部件表面出現未知物質，不能確定其成分及來源時，可以通過對異物進行微觀形貌觀察和成分分析進行判斷。
分析方法：
根據樣品實際情況，以下分析方法可供選用。
儀器名稱 | 信號檢測 | 元素測定 | 檢測限 | 深度分辨率 | 適用范圍 |
掃描電子顯微鏡（SEM） | 二次及背向散射電子&X射線 | B-U (EDS mode) | 0.1 - 1 at% | 0.5 - 3 μm (EDS) | 高辨析率成像 元素微觀分析及顆粒特征化描述 |
X射線能譜儀（EDS） | 二次背向散射電子&X射線 | B-U | 0.1 – 1 at% | 0.5 – 3 μm | 小面積上的成像與元素組成；缺陷處元素的識別/繪圖；顆粒分析（>300nm） |
顯微紅外顯微鏡（FTIR） | 紅外線吸收 | 分子群 | 0.1 - 1 wt% | 0.1 - 2.5 μm | 污染物分析中識別有機化合物的分子結構 識別有機顆粒、粉末、薄膜及液體（材料識別） 量化硅中氧和氫以及氮化硅晶圓中的氫 （Si-H vs. N-H） 污染物分析（析取、除過氣的產品，殘余物） |
拉曼光譜（Raman） | 拉曼散射 | 化學及分子鍵聯資料 | >=1 wt% | 共焦模式 | 為污染物分析、材料分類以及張力力測量而識別有機和無機化合物的分子結構 拉曼，碳層特征 （石墨、金剛石 ） 非共價鍵聯壓焊(復合體、金屬鍵聯) 定位(隨機v. 有組織的結構) |
俄歇電子能譜儀（AES） | 來自表面附近的Auger電子 | Li-U | 0.1-1%亞單層 | 20 – 200 ?側面分布模式 | 缺陷分析；顆粒分析；表面分析；小面積深度剖面；薄膜成分分析 |
X射線光電子能譜儀（XPS） | 來自表面原子附近的光電子 | Li-U化學鍵聯信息 | 0.01 - 1 at% sub-monolayer | 20 - 200 ?（剖析模式） | 有機材料、無機材料、污點、殘留物的表面分析 測量表面成分及化學狀態信息 薄膜成份的深度剖面 硅 氧氮化物厚度和測量劑量 薄膜氧化物厚度測量（SiO2, Al2O3 |
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